[发明专利]光刻标记对准方法和芯片制备方法在审
| 申请号： | 201711480460.9 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108231742A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李强;张熠鑫;杨寿国;高宏伟 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 魏春蓉 |
| 地址： | 132013 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光刻标记对准方法和芯片制备方法，涉及半导体器件制备技术领域，所述光刻标记对准方法包括如下步骤：先提供衬底，在衬底上进行初始外延生长，形成初始外延层；然后对初始外延层进行光刻标记，并形成初始对准标记凹槽；再在初始外延层上淀积薄膜，形成薄膜层，并使得初始对准标记凹槽被薄膜层填充；最后进行薄膜层的刻蚀，将初始外延层上的薄膜层去除，但保留初始对准标记凹槽中的薄膜层，得到填充有薄膜层的二次对准标记凹槽，达到了在后续进行外延层生长时，薄膜层能够阻止或降低二次对准标记凹槽中外延层的生长，保持二次对准标记凹槽的完整性，提高二次对准标记凹槽的识别效率的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜层 外延层 对准标记 光刻 标记凹槽 标记对准 初始对准 芯片制备 衬底 填充 半导体器件制备 淀积薄膜 技术效果 外延生长 生长 刻蚀 去除 保留 | ||
【主权项】：
1.一种光刻标记对准方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)提供衬底，在衬底上进行初始外延生长，形成初始外延层；(b)对初始外延层进行光刻标记，并形成初始对准标记凹槽；(c)在初始外延层上淀积薄膜，形成薄膜层，并使得初始对准标记凹槽被薄膜层填充；(d)进行薄膜层的刻蚀，将初始外延层上的薄膜层去除，但保留初始对准标记凹槽中的薄膜层，得到填充有薄膜层的二次对准标记凹槽。
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