[发明专利]MEMS芯片结构有效

专利信息
申请号: 201711481331.1 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN109991728B 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 陈奕文;黄兆兴;姚丹阳;汤红;蒋臣迪;谢会开 申请(专利权)人: 华为技术有限公司;无锡微奥科技有限公司
主分类号: G02B26/08 分类号: G02B26/08;B81B7/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请公开了一种MEMS芯片结构,包括:基底,侧壁,介质板,MEMS微镜阵列以及格栅阵列,所述侧壁为环形结构,所述基底覆盖所述侧壁的一侧开口,所述介质板覆盖所述侧壁的另一侧开口,所述侧壁,所述基底和所述介质板构成中空结构;所述MEMS微镜阵列和所述格栅阵列均位于所述中空结构内;所述MEMS微镜阵列位于所述基底的上方,所述MEMS微镜阵列包括多个凹槽和多个MEMS微镜,其中,所述多个MEMS微镜和所述多个凹槽一一对应,所述多个MEMS微镜位于对应的所述凹槽内或所述凹槽上方;所述格栅阵列位于所述MEMS微镜阵列的上方,所述格栅阵列的下表面与所述多个凹槽中的至少部分凹槽的侧壁上表面连接。
搜索关键词: mems 芯片 结构
【主权项】:
1.一种MEMS芯片结构,其特征在于,包括:基底,侧壁,介质板,MEMS微镜阵列以及格栅阵列,所述侧壁为环形结构,所述基底覆盖所述侧壁的一侧开口,所述介质板覆盖所述侧壁的另一侧开口,所述侧壁,所述基底和所述介质板构成中空结构;所述MEMS微镜阵列和所述格栅阵列位于所述中空结构内;所述MEMS微镜阵列位于所述基底的上方,所述MEMS微镜阵列包括多个凹槽和多个MEMS微镜,其中,所述多个MEMS微镜和所述多个凹槽一一对应,所述多个MEMS微镜位于对应的凹槽内或位于对应的凹槽上方;所述格栅阵列位于所述MEMS微镜阵列的上方,所述格栅阵列的下表面与所述多个凹槽中的至少部分凹槽的侧壁上表面连接。
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