[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管的制备方法、阵列基板的制备方法在审
| 申请号： | 201711482820.9 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108231598A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李金明 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44;H01L21/34;H01L21/84 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;黄进 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底基板上依次制备形成栅电极、栅极绝缘层、金属氧化物有源层以及源电极和漏电极，所述栅电极包括衬垫层和铜金属层；其中，在形成所述栅电极之后，首先在退火温度不超过270℃的条件下对所述栅电极进行退火处理，然后在所述栅电极上沉积形成所述栅极绝缘层；或者是，在形成所述栅电极之后，在沉积温度不超过270℃的条件下，直接在所述栅电极上沉积形成所述栅极绝缘层。本发明还公开了一种阵列基板的制备方法，包括：采用如上所述的制备方法在衬底基板上制备形成阵列排布的金属氧化物薄膜晶体管；在所述金属氧化物薄膜晶体管上依次制备形成平坦层和像素电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 栅电极 金属氧化物薄膜晶体管 栅极绝缘层 沉积 衬底基板 阵列基板 金属氧化物有源层 退火 铜金属层 退火处理 像素电极 阵列排布 衬垫层 漏电极 平坦层 源电极 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底基板上依次制备形成栅电极、栅极绝缘层、金属氧化物有源层以及源电极和漏电极，其特征在于，所述栅电极包括衬垫层和铜金属层；其中，在形成所述栅电极之后，首先在退火温度不超过270℃的条件下对所述栅电极进行退火处理，然后在所述栅电极上沉积形成所述栅极绝缘层；或者是，在形成所述栅电极之后，在沉积温度不超过270℃的条件下，直接在所述栅电极上沉积形成所述栅极绝缘层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711482820.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
