[发明专利]高电源抑制比的超低功耗电源结构

摘要

本发明公开了一种高电源抑制比的超低功耗电源结构，包括：第一LDO电路、第二LDO电路、第一Bandgap模块、第二Bandgap模块以及切换电路；其中，第一LDO电路用于在大驱动模式下提供LDO输出电压，第二LDO电路用于为超低功耗模式下提供LDO输出电压；第一Bandgap模块工作在主电源电压下，第二Bandgap模块是工作在LDO输出电压VDD下的基准源，切换电路包括上下电复位电路、振荡器电路、延迟电路以及第一电平转换电路，切换电路能够将上电启动时由第一Bandgap模块输出第一参考电压的模式切换为上电启动完成后由第二Bandgap模块输出第二参考电压的模式。本发明的超低功耗电源结构的结构简单、鲁棒性好，从结构上优化了PSRR性能，并且显著降低了系统的功耗，实现了低功耗目标值。

主权项

1.一种高电源抑制比的超低功耗电源结构，其特征在于，包括：第一LDO电路、第二LDO电路、第一Bandgap模块、第二Bandgap模块以及切换电路；其中，所述第一LDO电路用于在大驱动模式下提供LDO输出电压，并为SOC芯片的正常工作模式提供电流输出，所述第二LDO电路用于为超低功耗模式下提供所述LDO输出电压，并为所述SOC芯片的低功耗模式提供电流输出，所述第二LDO电路的电流输出小于所述第一LDO电路的电流输出；所述第一Bandgap模块工作在主电源电压下，用于在上电启动时为所述第一LDO电路提供第一参考电压，所述第二Bandgap模块是工作在所述LDO输出电压下的基准源，用于在所述上电启动完成后为所述第二LDO电路提供第二参考电压；所述切换电路包括上下电复位电路、振荡器电路、延迟电路以及第一电平转换电路，所述切换电路能够将所述上电启动时由所述第一Bandgap模块输出所述第一参考电压的模式切换为所述上电启动完成后由所述第二Bandgap模块输出所述第二参考电压的模式；所述切换电路还包括电平选择模块，所述上下电复位电路包括POR模块，所述延迟电路包括延时模块，所述POR模块产生POR复位信号控制所述延时模块，所述延时模块控制所述电平选择模块，所述电平选择模块用于选择为所述第一LDO电路和所述第二LDO电路提供所述第一参考电压或者提供所述第二参考电压。