[发明专利]针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法有效
| 申请号： | 201711483390.2 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108365847B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 杨小坤;张海峰;原义栋;胡毅;何洋;李振国;靳嘉桢 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/14 | 分类号： | H03M1/14 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 王崇 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种针对电荷型SAR‑ADC寄生电容的校准方法，所述电荷型SAR‑ADC包括LSB电容阵列，将LSB电容阵列的所有上极板与第一补偿电路的一端相连，第一补偿电路的另一端接任意恒定电位，第一补偿电路由第一固定电容C |
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| 搜索关键词： | 针对 电荷 sar adc 寄生 电容 校准 方法 | ||
【主权项】：
1.一种针对电荷型SAR‑ADC寄生电容的校准方法，所述电荷型SAR‑ADC包括LSB电容阵列，其特征在于，将所述LSB电容阵列的所有上极板与第一补偿电路的一端相连，所述第一补偿电路的另一端接任意恒定电位，所述第一补偿电路由第一固定电容Cdl和第一可调电容Cdl＇并联组成，通过调节所述第一补偿电路来调节SAR‑ADC的非线性误差，所述LSB电容阵列中单位电容值为Cu，共L位，从低位到高位分别以2倍的关系递增，最高位电容值为2L‑1Cu，且当所述LSB电容阵列的总电容值为CLt时，则如下关系式成立：CLt＝(2L‑1)·Cu+Cdl+Cdl＇。
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