[发明专利]一种二维六方氮化硼薄膜掺杂获得p型电导的方法在审
| 申请号： | 201711485913.7 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108559973A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 蔡端俊;郝卓然;孙飞鹏;王跃锦 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/34;H01L21/205;H01L21/02 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种二维六方氮化硼薄膜掺杂获得p型电导的方法，涉及半导体薄膜p型电导。设置三温区双管路化学气相沉积系统；第一温区第一管路放置BN前驱物，第二温区第二管路放置Mg源前驱物，第三温区放置反应衬底；生长阶段开始前先将真空度控制至低于10‑4torr；氢气和氩气的氛围中对衬底进行800～1000℃退火处理；三温区分别加温至设置温度，第一温区为低温区，温度70～100℃；第二温区为中温区，温度400～900℃；第三温区为高温反应区，温度900～1200℃；第一管路和第二管路通载气，携带前驱物和杂质源至反应区混合反应；生长结束，在保护气体中自然冷却到室温，得二维六方氮化硼薄膜掺杂获得p型电导。 | ||
| 搜索关键词： | 温区 电导 六方氮化硼薄膜 前驱物 二维 掺杂 衬底 化学气相沉积系统 半导体薄膜 高温反应区 真空度控制 保护气体 混合反应 生长阶段 退火处理 氢气 氩气 低温区 反应区 双管路 杂质源 中温区 加温 载气 携带 生长 | ||
【主权项】：
1.一种二维六方氮化硼薄膜掺杂获得p型电导的方法，其特征在于包括以下步骤：1)设置三温区双管路化学气相沉积系统；2)第一温区第一管路放置BN前驱物，第二温区第二管路放置Mg源前驱物，第三温区放置反应衬底；3)生长阶段开始前先将真空度控制至低于10‑4torr；4)氢气和氩气的氛围中对衬底进行800～1000℃退火处理；5)三温区分别加温至设置温度，第一温区为低温区，温度70～100℃；第二温区为中温区，温度400～900℃；第三温区为高温反应区，温度900～1200℃；6)第一管路和第二管路分别通载气，携带前驱物和杂质源至反应区混合反应；7)生长结束，在保护气体中自然冷却到室温，得二维六方氮化硼薄膜掺杂获得p型电导。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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