[发明专利]一种汽车用雪崩二极管的制造方法在审
申请号: | 201711490251.2 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108565217A | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 黄发良 | 申请(专利权)人: | 黄山市弘泰电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L21/50 |
代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 李振泉;杨大庆 |
地址: | 24561*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种汽车用雪崩二极管的制造方法,包括如下步骤:步骤(1)装填与烧结、步骤(2)碱洗与清洗、步骤(3)烘干、步骤(4)打胶、步骤(5)胶高温固化、步骤(6)一次测试、步骤(7)灌封、步骤(8)灌封胶固化、步骤(9)二次测试、步骤(10)、将经二次测试判定合格的产品进行激光打标。本发明采用一次焊接成型工艺的雪崩二极管具备良好的高温特性、苛刻的热疲劳能力、高的反向浪涌能力,有效解决了现有汽车用雪崩二极管的制备方法不够合理,造成的雪崩二极管各方面的性能较差,同时采用碱洗工艺有效解决了环保污水后期处理工序繁琐以及费用成本较高的问题。 | ||
搜索关键词: | 雪崩二极管 汽车用 二次测试 有效解决 一次焊接成型 费用成本 高温固化 高温特性 后期处理 环保污水 激光打标 碱洗工艺 烧结 灌封胶 热疲劳 装填 打胶 灌封 烘干 碱洗 浪涌 固化 制备 制造 判定 清洗 测试 | ||
【主权项】:
1.一种汽车用雪崩二极管的制造方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤(1)装填与烧结:将铜引线、焊片、硅片、焊片、铜座自下而上依次叠放在加工模具内,然后送入真空烧结炉内烧结成半成品;步骤(2)碱洗与清洗:待烧结完成后,将半成品自加工模具内取出后依次进行碱洗、一次热水清洗、弱酸清洗、二次热水清洗、超声波清洗、纯水冲洗;步骤(3)烘干:将清洗后的半成品送入烘箱内烘干;步骤(4)打胶:将经过步骤(3)一次烘干后的半成品进行打胶处理,胶选用聚醯亚胺;步骤(5)胶高温固化:将打胶后的半成品送入烘箱内,待胶烘烤完全固化后取出;步骤(6)一次测试:测试二次烘干处理后的半成品的整体性能,合格的半成品转入下一道工序,不合格的半成品转入不合格半成品区;步骤(7)灌封处理:在经一次测试判定为合格的半成品上套上塑料圈,然后灌注环氧树脂;步骤(8)灌封胶固化:将灌封处理后的半成品送入烘箱内烘烤固化;步骤(9)二次测试:在高温环境下,测试固化后的半成品的整体高温漏电性能;并进行反向浪涌测试、热疲劳测试;将测试合格的半成品定义为成品进入下一工序,不合格的半成品移至废品区;步骤(10)、将经二次测试判定合格的产品进行激光打标。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于黄山市弘泰电子有限公司,未经黄山市弘泰电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711490251.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:双大马士革通孔工艺的返工方法
- 下一篇:半导体结构形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造