[发明专利]一种氮化镓器件及氮化镓封装结构在审
| 申请号： | 201711491070.1 | 申请日： | 2017-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN109994456A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 李孟;李幸辉;罗广豪 | 申请（专利权）人： | 镓能半导体（佛山）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 | 代理人： | 齐胜杰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区桂城街道宝石*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓器件及氮化镓封装结构，所述氮化镓器件包括：硅芯片正装在所述PCB双面基板的顶面上，氮化镓芯片倒装在所述PCB双面基板的顶面上，并借助于Cascode级联方式在所述PCB双面基板的顶面形成氮化镓器件的至少一个焊盘电极；其中，焊盘电极中的任一个，借助导通孔延伸至所述PCB双面基板的底面，在PCB双面基板的顶面上，导通孔的投影区域被焊盘电极的投影区域完全覆盖或与之交叠。上述氮化镓器件的制备工艺简单，散热效果好，同时能够实现把D－Mode的Gan HEMT通过Cascode级联转变成常关型的器件，推广方便，使用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓器件 双面基板 焊盘电极 封装结构 投影区域 氮化镓 导通孔 硅芯片 氮化镓芯片 级联方式 散热效果 制备工艺 倒装 底面 顶面 级联 交叠 正装 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓器件，包括：设有导通孔的PCB双面基板、硅芯片和氮化镓芯片，其特征在于，所述硅芯片正装在所述PCB双面基板的顶面上，所述氮化镓芯片倒装在所述PCB双面基板的顶面上，并借助于Cascode级联方式在所述PCB双面基板的顶面形成氮化镓器件的至少一个焊盘电极；其中，所述焊盘电极中的任一个，借助导通孔延伸至所述PCB双面基板的底面，在所述PCB双面基板的顶面上，所述导通孔的投影区域被所述焊盘电极的投影区域完全覆盖或与之交叠。
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