[发明专利]一种自整流有机电存储器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201711498111.X 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN108198938B 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 刘举庆;卢航;黄维;陈营营 申请(专利权)人: 南京工业大学
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40
代理公司: 南京知识律师事务所 32207 代理人: 万婧
地址: 211816 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种自整流有机电存储器及其制备方法,属于有机电子器件与信息存储领域,该器件主要采用碳点与有机半导体杂化结构,利用双层有机半导体与电极能级不匹配实现整流效应以及碳点作为陷阱捕获载流子实现存储特性。本发明的存储器件具有以下优点:(1)工艺简单,降低了制备成本;(2)具有较高的整流比以及开关比,循环稳定性好;(3)器件结构简单,提高了存储密度。
搜索关键词: 制备 有机半导体 存储器 有机电 自整流 载流子 有机电子器件 能级 循环稳定性 存储器件 存储特性 器件结构 信息存储 整流效应 开关比 电极 杂化 捕获 匹配 存储 陷阱
【主权项】:
1.一种自整流有机电存储器,其特征在于:包括衬底,衬底之上依次为底电极、整流存储介质层、顶电极,所述的整流存储介质层是有机半导体1、纳米材料、有机半导体2的三明治结构层;所述的衬底是硅片衬底,所述的顶电极是Al电极;所述的底电极和顶电极均为条状阵列电极,宽度为0.1‑1mm;所述的底电极是还原氧化石墨烯阵列电极、ITO电极中的一种;所述的纳米材料为碳点;所述的有机半导体1为聚(3,4‑已撑二氧噻吩):聚(对苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)、有机半导体2为聚(2‑甲氧基,5(2′—乙基己氧基)‑1,4‑苯撑乙烯撑)(MEH‑PPV);所述的整流存储介质层中有机半导体1和2的厚度分别为20‑40nm和20‑60nm。
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