[发明专利]一种基于VCSEL技术的Micro LD的装置在审
| 申请号： | 201711499330.X | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109994050A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 孙雷 | 申请（专利权）人： | 北京德瑞工贸有限公司 |
| 主分类号： | G09F9/33 | 分类号： | G09F9/33 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于VCSEL技术的Micro LD的装置，通过计算机控制MOS集成电路(有源矩阵)，MOS集成电路能分别控制微小的激光二极管阵列中的每一个VCSEL垂直腔面发射激光二极管开关和强弱，最终形成图像。Micro LD与Micro LED相比具有单位面积上更大的光强、更好的方向性与更好的相干性，在工业领域和显示领域有更广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 激光二极管阵列 垂直腔面发射 激光二极管 计算机控制 工业领域 相干性 源矩阵 光强 强弱 图像 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于VCSEL技术的Micro LD的装置包括：部件(1)衬底、部件(2)MOS集成电路、部件(3)VCSEL阵列(全称：VCSEL，Vertical‑Cavity‑Surface‑Emitting‑Laser，中文名垂直腔面发射激光二极管)、部件(4)外部控制系统；通过部件(4)外部控制系统可独立寻址控制部件(2)MOS集成电路上的部件(22)电极阵列的每一个电极供电状态，进而通过控制部件(22)电极阵列中的每一个电极的供电独立控制每一个部件(31)VCSEL发光与熄灭，通过可控的每个部件(31)VCSEL发光与熄灭最终组成所需的特定激光图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京德瑞工贸有限公司，未经北京德瑞工贸有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711499330.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
