[实用新型]一种用于可见光通信的InGaN量子点光电探测器

摘要

一种用于可见光通信的InGaN量子点光电探测器，包括由下往上依次设置的衬底、n型GaN层、InGaN/GaN量子点结构层和p型GaN层，在p型GaN层的表面上设置有p型GaN欧姆接触结构，在n型GaN层露出的表面上设置有n型GaN欧姆接触结构，所述InGaN/GaN量子点结构层为(InGaN)n/(GaN)(n+1)的周期性结构，周期数n为1‑20，每层InGaN量子点的厚度为1‑5nm。本实用新型通过较薄的InGaN量子点即可以实现较高吸收系数，从而提高器件的量子效率和响应度，避免了传统InGaN基光电探测器中因为吸收系数低，需要外延厚膜InGaN层的工艺缺点，从而解决了InGaN材料生长中的一系列难题。

主权项

一种用于可见光通信的InGaN量子点光电探测器，包括具有p‑i‑n结构的InGaN量子点光电探测器本体，其特征在于：所述InGaN量子点光电探测器本体包括由下往上依次设置的衬底（1）、n型GaN层（2）、InGaN/GaN量子点结构层（3）和p型GaN层（4），其中所述p型GaN层（4）的表面（41）上设置有p型GaN欧姆接触结构（6），所述InGaN量子点光电探测器本体的一侧设置有缺口（5），通过所述缺口（5）使n型GaN层（2）露出表面（21），且在该表面（21）上设置有n型GaN欧姆接触结构（7），所述InGaN/GaN量子点结构层（3）为(InGaN)n/(GaN)(n+1)的周期性结构，周期数n为1‑20，每层InGaN量子点的厚度为1‑5nm。