[实用新型]三层氮化硅薄膜电池片

摘要

本实用新型提供了一种三层氮化硅薄膜电池片。它解决了现有电池片中反折射膜采用双层结构，太阳光反射量大，光电转换效率低等技术问题。本三层氮化硅薄膜电池片，包括硅片，硅片的正面涂覆有三层减反射膜，三层减反射膜均为氮化硅膜，三层减反射膜包括由下至上分布的第一层膜、第二层膜和第三层膜，第一层膜覆盖于硅片的正面，第一层膜的厚度为8‑12nm，第二层膜覆盖于第一层膜的上表面，第二层膜的厚度为13‑17nm，第三层膜覆盖于第二层膜的上表面，第三层膜的厚度为53‑57nm，第一层膜、第二层膜和第三层膜三者的总厚度为80nm；三层减反射膜的上表面印有主栅线和次栅线，主栅线的两端开设有镂空凹槽，硅片的背面印有背电极。本实用新型具有光电转换效率高的优点。

主权项

三层氮化硅薄膜电池片，包括硅片，其特征在于，所述硅片的正面涂覆有三层减反射膜，三层减反射膜均为氮化硅膜，三层减反射膜包括由下至上分布的第一层膜、第二层膜和第三层膜，第一层膜覆盖于硅片的正面，第一层膜的厚度为8‑12nm，第二层膜覆盖于第一层膜的上表面，第二层膜的厚度为13‑17nm，第三层膜覆盖于第二层膜的上表面，第三层膜的厚度为53‑57nm，第一层膜、第二层膜和第三层膜三者的总厚度为80nm；所述三层减反射膜的上表面印有主栅线和次栅线，主栅线的两端开设有镂空凹槽，镂空凹槽槽宽为主栅线线宽的2/3，镂空凹槽槽深为主栅线长度的1/12，硅片的背面印有背电极。