[实用新型]新型可控硅触发装置有效
申请号: | 201720013792.5 | 申请日: | 2017-01-06 |
公开(公告)号: | CN206302397U | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | 贲艳涛 | 申请(专利权)人: | 贲艳涛 |
主分类号: | H03K17/78 | 分类号: | H03K17/78 |
代理公司: | 哈尔滨东方专利事务所23118 | 代理人: | 陈晓光 |
地址: | 150000 黑龙江省哈*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一种新型可控硅触发装置。传统的可控硅触发电路的输入端用固定降压和限流,控制器电源电压变化是其触发电流也变化。一种新型可控硅触发装置,其组成为可控硅触发信号端,可控硅触发信号端(10)连接电阻R1(9)和三极管Q1(8),电阻R1分别连接三极管Q1和二极管D1(6),三极管Q1连接电阻R2(7),二极管D1连接二极管D2(5),二极管D2连接分别连接电阻R2、电容C1(4)和过零触发光耦U2(3),电容C1接地,过零触发光耦U2通过导线连接过零触发光耦U1(2),过零触发光耦U1连接电源,过零触发光耦U2和过零触发光耦U1连接可控硅触发电路(1)。本实用新型申请应用于新型可控硅触发装置。 | ||
搜索关键词: | 新型 可控硅 触发 装置 | ||
【主权项】:
一种新型可控硅触发装置,其组成包括:可控硅触发信号端,其特征是:所述的可控硅触发信号端分别连接电阻R1和三极管Q1,所述的电阻R1分别连接三极管Q1和二极管D1,所述的三极管Q1连接电阻R2,所述的二极管D1连接二极管D2,所述的二极管D2连接分别连接电阻R2、电容C1和过零触发光耦U2,所述的电容C1接地,所述的过零触发光耦U2通过导线连接过零触发光耦U1,所述的过零触发光耦U1连接+12V电源,所述的过零触发光耦U2和所述的过零触发光耦U1连接可控硅触发电路。
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