[实用新型]一种低功耗低温度系数的电压基准源电路

摘要

一种低功耗低温度系数的电压基准源电路，其特征在于包括PTAT电流产生电路和负载电路；PTAT电流产生电路与负载电路一端相连，基准电压源由所述负载电路输出，所述PTAT电流产生电路由PM0、PM1、PM2、PM3、NM0、NM1、NM2、NM5和NM6组成，PM0、PM1、PM2、PM3为PMOS管，NM0、NM1、NM2、NM5和NM6为NMOS管。本实用新型与已有技术相比，具有即使是低电压，甚至是超低电压下，也能正常工作的优点。

主权项

一种低功耗低温度系数的电压基准源电路，其特征在于包括PTAT电流产生电路和负载电路；PTAT电流产生电路与负载电路一端相连，基准电压源由所述负载电路输出，所述PTAT电流产生电路由PM0、PM1、PM2、PM3、NM0、NM1、NM2、NM3、NM5和NM6组成，PM0、PM1、PM2、PM3为PMOS管，NM0、NM1、NM2、NM3、NM5和NM6为NMOS管，PM0漏极d与NM3漏极d连接，PM0栅极g与PM2栅极d连接，PM0源极s与电源VDD连接，PM0衬底与电源VDD相连；PM1漏极d与其栅极g连接，PM1源极s与电源VDD连接，PM1衬底接电源VDD；PM2漏极d与其栅极g连接，PM2源极s与电源VDD连接，PM2衬底与电源VDD连接；PM3漏极d与NM1漏极d连接，PM3栅极g与PM1栅极g连接，PM3源极s与电源VDD连接，PM3衬底与电源VDD连接；NM0漏极d与PM1漏极d连接，NM0栅极g与NM3栅极g连接，NM0源极s与NM6漏极d连接，NM0衬底接地GND；NM1漏极d与其栅极g连接，NM1源极s接地GND，NM1衬底接地GND；NM2漏极d与PM2漏极d连接，NM2栅极g与NM1栅极g连接，NM2源极s与NM5漏极d连接，NM2衬底接地GND；NM3漏极d与其栅极g连接，NM3源极s接地GND，衬底接地GND；NM5漏极d与NM2源极s连接，NM5栅极g与NM1栅极g连接，NM5源极s接地GND，接地GND衬底接地GND；NM6漏极d与NM2源极s连接，NM6栅极g与NM3栅极g连接，NM6源极s接地GND，NM6衬底与地GND连接,所述负载电路由PM4和NM4组成,PM4漏极d与NM4漏极d连接，PM4栅极g与PM3栅极g连接，PM4源极s与电源VDD连接，PM4衬底与电源VDD连接，NM4漏极d与其栅极g连接，NM4源极s接地GND，NM4衬底与地GND连接,所述基准电压由NM4漏极d输出，NM0、NM1、NM2、NM3的NMOS管的物理性能是这样的，NM3、NM1与NM2、NM0的阈值电压Vth不相同，而且，Vth3‑Vth0= Vth1‑Vth2，NM0的漏极电流I0等于NM2的漏极电流I2，NM1的漏极电流I1等于NM3的漏极电流I3。