[实用新型]一种石墨平台可滑动式的SiC生长坩埚平台有效

专利信息
申请号: 201720036325.4 申请日: 2017-01-12
公开(公告)号: CN206418223U 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: 宗艳民;高超;梁庆瑞;张红岩 申请(专利权)人: 山东天岳晶体材料有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B35/00
代理公司: 济南舜源专利事务所有限公司37205 代理人: 苗峻
地址: 250000 山东*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请涉及SiC生产技术领域,具体为一种石墨平台可滑动式的SiC生长坩埚平台。本申请提供了一种新型的SiC生长坩埚平台,该装置通过在石墨平台上的坩埚槽内铺设石墨毡,石墨毡内部均匀分布有电阻丝,电阻丝的端部裸露在石墨毡外部,加热时,直接在石墨毡上通电加热,使得石墨毡发热,从而进一步加热坩埚。这样设置,避免了直接给坩埚通电,而造成糊锅等问题。另一方面,为了方便更换石墨平台或不锈钢底座,在石墨平台底部设置了滑动导轨,当需要移动石墨平台时,推动石墨平台即可,既省时又省力。
搜索关键词: 一种 石墨 平台 滑动 sic 生长 坩埚
【主权项】:
一种石墨平台可滑动式SiC生长坩埚平台,其特征在于,包括长方体形石墨平台(2),所述的长方体形石墨平台(2)上开设有坩埚槽(1),且坩埚槽(1)凹陷在长方体形石墨平台(2)内部,开口与长方体形石墨平台(2)的上表面平齐;所述的坩埚槽(1)内铺设石墨毡(6),且石墨毡(6)内部均匀分布有电阻丝(5),电阻丝(5)的端部裸露在石墨毡(6)的外部,SiC生长坩埚(7)放置在坩埚槽(1)内部,其外表面与裸露的电阻丝端部相接;所述的长方体形石墨平台(2)底部设置有滑动导轨(4)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东天岳晶体材料有限公司,未经山东天岳晶体材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720036325.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top