[实用新型]半导体设备有效
| 申请号： | 201720062496.4 | 申请日： | 2017-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN206363989U | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 胡频升;胡旭峰;汤志达;张恒 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 300385 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型揭示了一种半导体设备，包括至少一反应腔，所述反应腔连接一用于向所述反应腔通入反应气体的反应气体进气管道，所述反应气体进气管道的一端连接一用于向所述反应气体进气管道通入吹扫气体的吹扫气体进气通道，所述反应气体进气管道的另一端连接一吹扫气体出气通道的一端。所述吹扫气体进气通道、反应气体进气管道、吹扫气体出气通道形成一吹扫环路，将所述反应气体进气管道剩余的反应气体、沉积在所述反应气体进气管道的颗粒等吹扫出来，避免剩余的反应气体形成的颗粒或沉积在所述反应气体进气管道的颗粒进入反应腔等半导体设备的内部环境中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 | ||
【主权项】：
一种半导体设备，其特征在于，包括至少一反应腔，所述反应腔连接一用于向所述反应腔通入反应气体的反应气体进气管道，所述反应气体进气管道的一端连接一用于向所述反应气体进气管道通入吹扫气体的吹扫气体进气通道，所述反应气体进气管道的另一端连接一吹扫气体出气通道的一端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
