[实用新型]控制电容耦合等离子体工艺设备的边缘环的射频振幅有效
| 申请号： | 201720089716.2 | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN206758401U | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | J·罗杰斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型总体上涉及控制边缘环的射频(RF)振幅的装置和方法。装置和方法包括通过可变电容器耦接到接地的电极。所述电极可以是环形的并且嵌入在基板支撑件中，所述基板支撑件包括静电卡盘。所述电极可定位于基板和/或所述边缘环的周边下方。当等离子体壳层由于边缘环侵蚀而相邻于所述边缘环下降时，调整可变电容器的电容以便影响靠近所述基板边缘的RF振幅。经由所述电极和可变电容器对RF振幅的调整引起所述基板周边附近的等离子体壳层的调整。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 电容 耦合 等离子体 工艺设备 边缘 射频 振幅 | ||
【主权项】：
一种基板支撑件，所述基板支撑件包括：静电卡盘，所述静电卡盘具有嵌入其中的一或多个卡紧电极以便将基板卡紧到所述静电卡盘；陶瓷层，所述陶瓷层设置在所述静电卡盘上方；陶瓷环，所述陶瓷环绕所述陶瓷层定位；电极，所述电极嵌入在所述陶瓷环中；以及可变电容器，所述可变电容器通过一或多个传输线耦接到所述电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201720089716.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有零位调节功能的断路器
- 下一篇：一种带有探针保护装置的针测机
