[实用新型]一种二极管

摘要

本申请提供一种二极管，通过NPN三极管来实现，NPN三极管包括三个N型源漏注入及一个P型源漏注入，两个N型源漏注入分别作为两个集电区，紧靠作为基区的P型源漏注入，并通过金属短接作为二极管的阳极；第三个N型源漏注入作为发射区，也即二极管的阴极；相比现有技术，阳极的N型源漏注入与阴极的N型源漏注入之间的距离小，减小了横向的N型阱区电阻；同时比现有技术在靠近P型源漏注入的另一侧增加了一个N型源漏注入，增加了一个横向的NPN效应，使得有更多电流从表面走，减少了流经N型阱区电阻的电流成分，避免了P型体区至N型阱区的结正偏；无需现有技术中增加的埋层及外延层的工艺步骤及成本，即可实现漏电的减少。

主权项

一种二极管，其特征在于，为NPN三极管；所述NPN三极管包括：三个N型源漏注入及一个P型源漏注入；其中：所述P型源漏注入设置于所述NPN三极管的P型体区内，作为所述NPN三极管的基区；一个所述N型源漏注入设置于所述NPN三极管N型阱区的边缘，紧靠所述P型源漏注入，作为所述NPN三极管的一个集电区；另外一个所述N型源漏注入设置于所述P型体区内，紧靠所述P型源漏注入的另一端，作为所述NPN三极管的另一集电区；第三个所述N型源漏注入设置于所述P型体区内，作为所述NPN三极管的发射区；所述NPN三极管的两个集电区与所述基区通过金属短接作为所述二极管的阳极，所述NPN三极管的发射区作为所述二极管的阴极。