[实用新型]感光元件及摄像装置有效
申请号: | 201720111310.X | 申请日: | 2017-02-06 |
公开(公告)号: | CN206546821U | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 东尚清;李碧洲 | 申请(专利权)人: | 艾普柯微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司11415 | 代理人: | 林祥 |
地址: | 201203 上海市自由贸易试验*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种感光元件及摄像装置,用以提高感光效率,进而提高摄像帧率。本申请中,感光元件包括衬底以及位于衬底上的栅极,该栅极包括感光门、与感光门相邻的传输门、与传输门相邻的收集门以及与收集门相邻的信号读出点;其中,感光门包括至少两个依次嵌套的感光区,嵌套在内层的感光区上所施加的电压大于嵌套在外层的感光区上所施加的电压;传输门上所施加的电压大于感光门中任意感光区上所施加的电压,收集门上所施加的电压大于传输门上所施加的电压。本申请技术方案,可以提高感光效率,进而提高摄像帧率。 | ||
搜索关键词: | 感光 元件 摄像 装置 | ||
【主权项】:
一种感光元件,包括衬底以及位于所述衬底上的栅极,其特征在于,所述栅极包括:感光门、与所述感光门相邻的传输门、与所述传输门相邻的收集门以及与所述收集门相邻的信号读出点;其中,所述感光门包括至少两个依次嵌套的感光区,嵌套在内层的感光区上所施加的电压大于嵌套在外层的感光区上所施加的电压;所述传输门上所施加的电压大于所述感光门中任意感光区上所施加的电压,所述收集门上所施加的电压大于所述传输门上所施加的电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的