[实用新型]一种湿敏电容有效
申请号: | 201720129655.8 | 申请日: | 2017-02-13 |
公开(公告)号: | CN206557144U | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 张宾 | 申请(专利权)人: | 广州奥松电子有限公司;张宾 |
主分类号: | G01N27/22 | 分类号: | G01N27/22 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)44288 | 代理人: | 李健富 |
地址: | 510470 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种湿敏电容,其中湿敏电容,包括芯片和壳体;所述芯片封装在壳体中;所述芯片包括上电极、感湿膜、介质层、衬底和下电极;所述感湿膜为有机聚合物感湿膜;所述介质层沉积在衬底的表面;所述感湿膜附着在介质层的表面;所述上电极设置在感湿膜上;所述上电极设有通孔;所述下电极设置在衬底的下方;所述介质层为氮化硅或氧化硅介质层;所述衬底为单晶硅衬底;该湿敏电容功耗小,灵敏性强,且长期稳定。 | ||
搜索关键词: | 一种 电容 | ||
【主权项】:
一种湿敏电容,包括芯片和壳体;所述芯片封装在壳体中;所述芯片包括:上电极、感湿膜、介质层、衬底和下电极;其特征在于:所述感湿膜为有机聚合物感湿膜;所述介质层沉积在衬底的表面;所述感湿膜附着在介质层的表面;所述上电极设置在感湿膜上;所述上电极设有通孔;所述下电极设置在衬底的下方;所述介质层为氮化硅或氧化硅介质层;所述衬底为单晶硅衬底。
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