[实用新型]一种刻蚀装置有效
申请号: | 201720142030.5 | 申请日: | 2017-02-16 |
公开(公告)号: | CN206441709U | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 周士杰;陈圣铁 | 申请(专利权)人: | 温州隆润科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23F1/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 325000 浙江省温州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种湿法刻蚀装置,包括刻蚀装置本体、硅基体、气压腔,在刻蚀装置本体上设有红外吸收区、框架、刻蚀开口、硅基体、热电堆、支撑臂、刻蚀装置本体、刻蚀仓、防护玻璃、控制箱、报警指示灯、喷嘴、气压腔、酸液腔、喷头、定位器、导液管,在气压腔与酸液腔之间设有通气导管,气压腔通过通气导管向酸液腔内进行加压,使酸液从喷头喷出的时候具有一定的压力,同时使酸液能够准确无误的喷洒到硅基体上,将不需要的部分通过与酸液反应后形成酸液水排出,留下剩下的部分就是反应后我们所要得到的单晶硅片。 | ||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 装置 | ||
【主权项】:
一种刻蚀装置,包括刻蚀装置本体(7)、硅基体(4)和气压腔(13),其特征在于:所述刻蚀装置本体(7)的侧面顶部设有报警指示灯(11),所述刻蚀装置本体(7)的下方设有控制箱(10),控制箱(10)的内部设有内置电路(18),所述控制箱(10)的内部设有刻蚀仓(8),刻蚀仓(8)的顶部设有多个喷嘴(12),所述喷嘴(12)的正下方设有硅基体(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造