[实用新型]匹配链式扩散的防滴液刻蚀槽盖结构有效
申请号: | 201720157855.4 | 申请日: | 2017-02-21 |
公开(公告)号: | CN206619583U | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 潘浩 | 申请(专利权)人: | 无锡德鑫太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人: | 张婧 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种匹配链式扩散的防滴液刻蚀槽盖结构,包括由位于顶面的波纹板和位于四面的侧板组成的用于封闭槽体的单面开口槽盖,所述波纹板的波谷内壁下方设有用于收集滴液的凹槽板,在所述侧板靠近槽盖开口处设有回字形储液槽,该回字形储液槽上连接有与外部污水处理设备相连通的排液管。该槽盖结构取消了现有技术中采用海绵等耗材吸收滴液的方式,采用波纹板和凹槽板相结合的设计有效收集滴液,收集到的滴液从凹槽板上溢出顺着槽壁流入回字形储液槽中,再经由排液管排出槽体外,避免滴液滴落在槽体内的硅片上,同时也可避免耗材掉落至槽体引起的电性能降低。 | ||
搜索关键词: | 匹配 链式 扩散 防滴液 刻蚀 结构 | ||
【主权项】:
一种匹配链式扩散的防滴液刻蚀槽盖结构,其特征在于:包括由位于顶面的波纹板(1)和位于四面的侧板(2)组成的用于封闭槽体的单面开口槽盖(3),所述波纹板(1)的波谷内壁下方设有用于收集滴液的凹槽板(4),在所述侧板(2)靠近槽盖(3)开口处设有回字形储液槽(5),该回字形储液槽(5)上连接有与外部污水处理设备相连通的排液管(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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