[实用新型]高导热型半导体器件封装结构

摘要

本实用新型公开一种高导热型半导体器件封装结构，其第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘均由载片区和连接于载片区一端顶部的杆状延伸部组成，第一L形金属焊盘的载片区嵌入第二L形金属焊盘的缺口处，第二L形金属焊盘的载片区嵌入第一L形金属焊盘的缺口处；第一金线两端分别与第一芯片、第二芯片和左侧引脚电连接，第二金线两端分别与第一芯片、第二芯片和右侧引脚电连接；所述第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘上表面均沿边缘开有一闭合的环形储膏槽，此环形储膏槽的截面形状为倒梯形，此环形储膏槽位于第一芯片、第二芯片正下方并靠近芯片的边缘区。本实用新型有利于将引脚和金属焊盘更加牢固的固定，提高了与PCB之间焊接的可靠性，也以便芯片在工作时快速传导热量。

主权项

一种高导热型半导体器件封装结构，其特征在于：包括第一芯片（101）、第二芯片（102）、第一L形金属焊盘（201）、第二L形金属焊盘（202）、若干个左侧引脚（3）、若干个右侧引脚（4）和环氧树脂包覆体（5）；所述第一L形金属焊盘（201）、第二L形金属焊盘（202）均由载片区（21）和连接于载片区（21）一端顶部的杆状延伸部（22）组成，所述第一L形金属焊盘（201）的载片区（21）嵌入第二L形金属焊盘（202）的缺口处，所述第二L形金属焊盘（202）的载片区（21）嵌入第一L形金属焊盘（201）的缺口处；所述第一芯片（101）、第二芯片（102）分别通过绝缘胶层（6）固定于第一L形金属焊盘（201）、第二L形金属焊盘（202）各自的载片区（21）上表面的中央区域，若干个所述左侧引脚（3）并排间隔地设置于第一芯片（101）、第二芯片（102）的左侧，若干个所述右侧引脚（4）并排间隔地设置于第一芯片（101）、第二芯片（102）的右侧，所述第一L形金属焊盘（201）、第二L形金属焊盘（202）下部边缘处均开有第一缺口槽（7），所述环氧树脂包覆体（5）包覆于芯片（1）、第一L形金属焊盘（201）、第二L形金属焊盘（202）、若干个左侧引脚（3）、若干个右侧引脚（4）上，所述第一L形金属焊盘（201）、第二L形金属焊盘（202）、左侧引脚（3）和右侧引脚（4）各自的下表面裸露出环氧树脂包覆体（5）的底部；若干根第一金线（15）两端分别与第一芯片（101）、第二芯片（102）和左侧引脚（3）电连接，若干根第二金线（16）两端分别与第一芯片（101）、第二芯片（102）和右侧引脚（4）电连接，所述左侧引脚（3）和右侧引脚（4）各自的内侧端面分别开有供填充环氧树脂的左梯形凹槽（8）和右梯形凹槽（9）；所述第一L形金属焊盘（201）、第二L形金属焊盘（202）上表面均沿边缘开有一闭合的环形储膏槽（18），此环形储膏槽（18）的截面形状为倒梯形，此环形储膏槽（18）位于第一芯片（101）、第二芯片（102）正下方并靠近芯片的边缘区。