[实用新型]一种复合衬底/三族氮化物微米柱结构有效
| 申请号： | 201720172528.6 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN206532753U | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 邱振宇;鲁文超;赵恩;漆林;李宗尧;杨松;曹冰;王钦华 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种复合衬底/三族氮化物微米柱结构。以在介质材料上生长石墨烯插入层为复合衬底，在石墨烯插入层上生长三族氮化物微米柱。本实用新型中，石墨烯由低温固态碳源法在非蓝宝石介质材料上直接制备，在复合衬底上再生长得到三族氮化物微米柱，解决了在某些介质材料上三族氮化物无法成核生长的难题，拓宽了三族氮化物外延用介质衬底的范围。尤其是使用石墨烯/石英复合衬底外延制备三族氮化物微米柱结构，可有效降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 衬底 氮化物 微米 结构 | ||
【主权项】：
一种复合衬底/三族氮化物微米柱结构，其特征在于：所述的复合衬底为在介质材料上生长石墨烯插入层；在石墨烯插入层上生长三族氮化物微米柱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
