[实用新型]晶体管及电子电路有效
| 申请号： | 201720182971.1 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN206878003U | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | S·阿萨纳西乌;P·加利 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的各种实施例涉及晶体管及电子电路。一种晶体管包括覆盖有绝缘栅的第一导电类型的准本征区域。该准本征区域在两个第二导电类型的第一掺杂区域之间延伸。主电极设置在这两个第一掺杂区域中的每一者上的。第二导电类型的第二掺杂区域被定位成与该准本征区域接触，但是与这两个第一掺杂区域电分离且物理分离一定距离。控制电极设置在该第二掺杂区域上。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 电子电路 | ||
【主权项】：
一种晶体管，其特征在于，包括：覆盖有绝缘栅的第一导电类型的准本征区域；与所述准本征区域接触的两个第二导电类型的第一掺杂区域，其中，所述准本征区域在所述两个第一掺杂区域之间延伸；安排在所述两个第一掺杂区域中的每一者上的主电极；所述第二导电类型的第二掺杂区域，所述第二掺杂区域与所述准本征区域接触但是与所述两个第一掺杂区域中的每一者电分离且物理分离，以及安排在所述第二掺杂区域上的控制电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体有限公司，未经意法半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201720182971.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种应变mHEMT结构
- 下一篇：一种便于锂电池固定减震的电池槽
- 同类专利
- 专利分类
