[实用新型]利用混合多芯片集成的光收发器有效

专利信息
申请号: 201720200162.9 申请日: 2017-03-02
公开(公告)号: CN206546453U 公开(公告)日: 2017-10-10
发明(设计)人: 丁亮;拉达克里希南·L·纳贾拉詹;罗伯托·科乔利 申请(专利权)人: 颖飞公司
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42;H01L25/16;H04B10/40
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 代理人: 梁丽超,陈鹏
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种利用混合多芯片集成的光收发器。所述光收发器包括具有多个预制表面接合位点的PCB。第一芯片包括嵌入在覆盖电介质再分布层的电介质模制层内的多个电子装置的FOWLP封装,通过在电介质再分布层与多个预制表面接合位点之间分别接合多个导体球,同时暴露在电介质模制层中的多个模制通孔(TMV)内填充的焊接材料,将所述第一芯片设置在所述PCB上。光收发器还包括被配置为Sipho管芯的第二芯片,其包括嵌入基本上无需任何电子装置工艺的SOI晶片中的光子装置。第二芯片堆叠在所述第一芯片上方,其中,多个导体凸块分别接合到在多个TMV中的焊接材料。本公开的光收发器具有较低的寄生电容,同时保持简单封装工艺和低成本。
搜索关键词: 利用 混合 芯片 集成 收发
【主权项】:
一种利用混合多芯片集成的光收发器,其特征在于,包括:PCB,具有多个预制表面接合位点;第一芯片,包括嵌入在覆盖电介质再分布层的电介质模制层内的多个电子装置,通过分别在所述多个预制表面接合位点经由多个导体球接合所述电介质再分布层同时暴露填充在多个模制通孔TMV中的焊接材料,将所述第一芯片设置在所述PCB上,所述多个TMV形成在所述电介质模制层中;以及第二芯片,包括嵌入在SOI晶片中的光子装置,所述第二芯片具有添加有多个导体凸块的前表面,所述第二芯片堆叠在所述第一芯片上方,其中,在所述前表面上的所述多个导体凸块分别接合到所述多个TMV中的所述焊接材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于颖飞公司,未经颖飞公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720200162.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top