[实用新型]芯片嵌入硅基式扇出型封装结构

摘要

本实用新型公开了一种芯片嵌入硅基式扇出型封装结构，包括硅基体，硅基体具有第一表面和第二表面，硅基体的第一表面上形成有至少一向第二表面延伸的凹槽A，凹槽A内设有至少一颗焊盘面向上的芯片，且芯片的焊盘面高出硅基体第一表面一段距离，第一表面上铺设有暴露凹槽A及芯片的厚胶层，厚胶层的厚度与凹槽A的深度之和接近或等于芯片的厚度，芯片的焊盘的电性通过金属布线层扇出至厚胶层上方。本实用新型通过在硅基体表面引入厚胶层，该厚胶层与硅基体一起作为芯片扇出的载体，降低了芯片埋入硅基体时对凹槽刻蚀深度和凹槽底部刻蚀均匀性的要求，达到了节省硅基体上刻蚀工艺时间，降低刻蚀和封装成本，减小翘曲度的目的。

主权项

一种芯片嵌入硅基式扇出型封装结构，其特征在于，包括一硅基体，所述硅基体具有第一表面和第二表面，所述硅基体的第一表面上形成有至少一向所述第二表面延伸的凹槽A，所述凹槽A内设有至少一颗焊盘面向上的芯片，且所述芯片的焊盘面高出所述硅基体第一表面一段距离，所述第一表面上铺设有暴露所述凹槽A及所述芯片的厚胶层，所述厚胶层的厚度与所述凹槽A的深度之和接近或等于所述芯片的厚度，所述芯片的焊盘的电性通过金属布线层扇出至所述厚胶层上方。