[实用新型]一种晶圆片级芯片规模封装结构有效
申请号: | 201720228557.X | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN207320093U | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | 吴政达;林正忠 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/78 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人: | 姚艳 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供一种晶圆片级芯片规模封装结构,其中,封装结构至少包括芯片;覆盖于所述芯片上表面的重新布线层;形成于所述重新布线层上表面的多个焊料球,且所述焊料球通过所述重新布线层实现与所述芯片的电性连接;包围于所述重新布线层上表面和侧壁以及所述芯片侧壁且围住每个焊料球的第一塑封层;以及形成于所述芯片下表面的第二塑封层,且所述第二塑封层与所述第一塑封层无缝连接,从而形成包围所述芯片六个表面的晶圆片级芯片规模封装结构。本实用新型通过两个塑封层无缝连接形成包围芯片六个表面的封装保护,有效补偿应力造成的封装结构的翘曲变形,能够制备较大尺寸的封装结构,满足大尺寸芯片的封装需求。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶圆片级 芯片 规模 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种晶圆片级芯片规模封装结构,其特征在于,所述晶圆片级芯片规模封装结构至少包括:芯片;覆盖于所述芯片上表面的重新布线层;形成于所述重新布线层上表面的多个焊料球,且所述焊料球通过所述重新布线层实现与所述芯片的电性连接;包围于所述重新布线层上表面和侧壁以及所述芯片侧壁且围住每个焊料球的第一塑封层;以及形成于所述芯片下表面的第二塑封层,且所述第二塑封层与所述第一塑封层无缝连接,从而形成包围所述芯片六个表面的晶圆片级芯片规模封装结构。
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