[实用新型]一种新型高压双极单管结构

摘要

本实用新型公开了一种新型高压双极单管结构，包括基板和氧化层，所述基板的埋层上方靠近氧化层的一侧上设置有磷桥和P‑基区，P‑基区上设置有P基区，P基区上设置有N+发射区，磷桥与埋层相连；所述P‑基区外环绕设置有第一N+环，第一N+环外环绕设置有第一P‑环，磷桥外环绕设置有第二P‑环，所述第一P‑环和第二P‑环外环绕设置有第二N+环，所述基板和氧化层之间填充设置有外延层。本实用新型的一种新型高压双极单管结构，与现有技术相比，增加了一层副基区层即P‑基区，在P‑基区上设置P基区和N+发射区，P‑基区、N+环和P‑环的结构使电场分布平缓，电场分布较平缓，同时基区的宽度变宽，提高了器件各项耐压参数。

主权项

一种新型高压双极单管结构，其特征在于：包括基板（1）和氧化层（9），所述基板（1）上设置有的埋层（2），所述埋层（2）上方靠近氧化层（9）的一侧上设置有磷桥（3）和P‑基区（4），所述P‑基区（4）上设置有P基区（41），所述P基区（41）上设置有N+发射区（42），所述磷桥（3）与埋层（2）相连；所述P‑基区（4）外环绕设置有第一N+环（5），所述第一N+环（5）外环绕设置有第一P‑环（6），所述磷桥（3）外环绕设置有第二P‑环（61），所述第一P‑环（6）和第二P‑环（61）外环绕设置有第二N+环（51），所述基板（1）和氧化层（9）之间填充设置有外延层（7）。