[实用新型]一种四路ESD防护的TVS二极管有效
| 申请号： | 201720267537.3 | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN206742246U | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 徐远;曹德祥 | 申请（专利权）人： | 苏州矽航半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人： | 董建林,胡益萍 |
| 地址： | 215011 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种四路ESD防护的TVS二极管，包括P+衬底；第一N型外延层，形成于P+衬底上；P+埋层区，形成于第一N型外延层中；第二N型外延层，形成于第一N型外延层上；N+埋层区，形成于第二N型外延层中并延伸至第一N型外延层中；至少一个P+注入区，形成于第二N型外延层中；至少一个第一N+注入区，形成于第二N型外延层中；多个沟槽，每个沟槽均穿过第二N型外延层并延伸至第一N型外延层中；氧化层，形成于第二N型外延层上；金属层，形成于所述氧化层上；背金层，形成于所述P+衬底背面。本实用新型采用集成式结构，成本低，节省空间，通过一个TVS二极管保护了四个I/O端口，任意I/O端口到地的电容均小于0.3pF，满足当代高速接口的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 四路 esd 防护 tvs 二极管 | ||
【主权项】：
一种四路ESD防护的TVS二极管，其特征在于，包括：P+衬底；第一N型外延层，形成于所述P+衬底上；P+埋层区，形成于所述第一N型外延层中；第二N型外延层，形成于所述第一N型外延层上；N+埋层区，形成于所述第二N型外延层中并延伸至所述第一N型外延层中；至少一个P+注入区，形成于所述第二N型外延层中；至少一个第一N+注入区，形成于所述第二N型外延层中；多个沟槽，每个所述沟槽均穿过所述第二N型外延层并延伸至所述第一N型外延层中；氧化层，形成于所述第二N型外延层上；金属层，形成于所述氧化层上；背金层，形成于所述P+衬底背面。
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