[实用新型]硅片去水膜设备有效
| 申请号： | 201720273826.4 | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN206574675U | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 孙铁囤;汤平;姚伟忠 | 申请（专利权）人： | 常州亿晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙)32258 | 代理人： | 郑云 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及硅片生产设备技术领域，尤其是涉及一种硅片去水膜设备，包括设置在机架上的水槽，所述水槽内设有用于输送硅片的输送辊，所述机架上设有板体，所述板体位于所述水槽上方，所述板体靠近输送辊的一侧开设有进水道，所述板体内设有集水腔，所述集水腔与所述进水道连通，所述板体上设有排水口，所述排水口与所述集水腔连通，所述机架上设有用于控制板体靠近或者远离输送辊的微调机构，本实用新型硅片去水膜设备在使用时，传统去水方式无法完全将水去除，而通过改进同样是对水膜进行挤压，通过板体上的进水道，使得硅片上的水通过进水道溢流至排水腔内，避免了传统通过匀水辊去水无效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 去水膜 设备 | ||
【主权项】：
一种硅片去水膜设备，其特征在于：包括设置在机架(1)上的水槽(101)，所述水槽(101)内设有用于输送硅片的输送辊(2)，所述机架(1)上设有板体(3)，所述板体(3)位于所述水槽(101)上方，所述板体(3)靠近输送辊(2)的一侧开设有进水道(4)，所述板体(3)内设有集水腔(5)，所述集水腔(5)与所述进水道(4)连通，所述板体(3)上设有排水口(6)，所述排水口(6)与所述集水腔(5)连通，所述机架(1)上设有用于控制板体(3)靠近或者远离输送辊(2)的微调机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
