[实用新型]一种高频高压开关有效
| 申请号： | 201720304439.2 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN206948282U | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 孙洪华 | 申请（专利权）人： | 阔智科技（广州）有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/10 | 分类号： | H03K17/10;H03K17/567 |
| 代理公司： | 深圳茂达智联知识产权代理事务所(普通合伙)44394 | 代理人： | 夏龙 |
| 地址： | 511400 广东省广州市南沙区环市大道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种高频高压开关，包括第一开关电路和第二开关电路，所述第一开关电路和所述第二开关电路串联连接；所述第一开关电路由两个NMOS三极管串联组成；其中，各个NMOS三极管的源极与相邻的NMOS三极管的漏极连接；所述第二开关电路由负载开关和可控硅组成，所述可控硅的与第一开关K1所述第二开关K2并联。应用本实用新型提供的实施例，具有较高的击穿电压，较低的阻抗，较小的电路衰减，较高的频率响应，并且成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 高压 开关 | ||
【主权项】：
一种高频高压开关，其特征在于，包括第一开关电路和第二开关电路，所述第一开关电路和所述第二开关电路串联连接；所述第一开关电路由两个NMOS三极管串联组成；其中，各个NMOS三极管的源极与相邻的NMOS三极管的漏极连接；所述第二开关电路由负载开关和可控硅组成，所述可控硅的与第一开关K1所述第二开关K2并联。
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