[实用新型]高电压正‑本‑负PIN二极管有效
| 申请号： | 201720311012.5 | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN206727074U | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 韦维克;许健;陈柏安;苏柏拉曼亚·加亚谢拉拉欧;阿南德;赛义德·萨瓦尔·以曼 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 王涛,汤在彦 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种高电压正‑本‑负PIN二极管，形成在半导体基底上的绝缘结构。该绝缘结构是在该基底中的高电压掺杂井区上。该PIN二极管包括半导体层，位于该绝缘结构上，其中该半导体层包含第一导电型的第一掺杂区与第二导电型的至少一个第二掺杂区，以及在该第一掺杂区与该至少一个第二掺杂区之间未被掺杂或是淡掺杂的至少一个本征区。该第一导电型与该第二导电型相反。至少一个内连接结构，在该绝缘结构上，用以电连接该至少一个本征区到该高电压掺杂井区。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 pin 二极管 | ||
【主权项】：
一种高电压正‑本‑负PIN二极管，其特征在于，形成于半导体的基底上的绝缘结构，所述绝缘结构是在所述基底中的高电压掺杂井区，所述PIN二极管包括：半导体层，位于所述绝缘结构上，其中所述半导体层包含：第一掺杂区，是第一导电型；至少一个第二掺杂区，是第二导电型，与所述第一导电型相反；以及未被掺杂或是淡掺杂的至少一个本征区，在所述第一掺杂区与所述至少一个第二掺杂区之间；以及至少一个内连接结构，在所述绝缘结构上，用以分别电连接所述至少一个本征区到所述高电压掺杂井区。
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