[实用新型]反接保护电路及H桥输出驱动芯片有效
| 申请号： | 201720322134.4 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN206908289U | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 俞铁刚;管慧 | 申请（专利权）人： | 鑫雁电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H02H11/00 | 分类号： | H02H11/00 |
| 代理公司： | 杭州丰禾专利事务所有限公司33214 | 代理人： | 王晓峰 |
| 地址： | 200082 上海市杨*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及集成电路技术领域，具体地说，涉及一种反接保护电路及H桥输出驱动芯片。该反接保护电路用于设于芯片供电端与公共电源端之间，芯片供电端通过一输出NMOS管向公共电源端提供电压，芯片供电端还通过一齐纳二极管或一阻值足够大的电阻接入输出NMOS管的栅极；输出NMOS管的栅极还通过一控制PMOS管接入一升压输出端，升压输出端所提供的电压大于芯片供电端所提供的电压，控制PMOS管的栅极接入公共电源端。该H桥输出驱动芯片包括上述的反接保护电路。本实用新型能够较佳提升驱动芯片的可靠性且能够较佳地降低制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 反接 保护 电路 输出 驱动 芯片 | ||
【主权项】：
反接保护电路，其特征在于：该反接保护电路设于芯片供电端（VDD）与公共电源端（Vcom）之间，芯片供电端（VDD）通过一输出NMOS管（Tn1）向公共电源端（Vcom）提供电压，芯片供电端（VDD）还通过一齐纳二极管（D1）或一阻值足够大的电阻（R1）接入输出NMOS管（Tn1）的栅极；输出NMOS管（Tn1）的栅极还通过一控制PMOS管（Tp1）接入一升压输出端（Vcp），升压输出端（Vcp）所提供的电压大于芯片供电端（VDD）所提供的电压，控制PMOS管（Tp1）的栅极接入公共电源端（Vcom）。
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