[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201720324451.X | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN207398133U | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | P·克雷马;P·卡莎蒂 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件。在非导电封装材料(20)中包括至少一个导电金属元件(16)的半导体器件(10)是通过以下方式制造的：‑提供具有平滑形态用于覆盖前述金属元件(16)的第一金属层(102)；以及‑提供第二金属层(104)，该第二金属层用于部分地覆盖该第一层(102)，使得该第一层(102)的表面的至少一部分被暴露，该第二层(104)具有粗糙的形态。还可以提供的是一种裸片焊盘(14)，用于通过以下方式来安装半导体裸片(12)：提供前述第一层(102)用来覆盖该裸片焊盘(14)；以及将半导体裸片(12)附接至与该第一层(102)相接触的该裸片焊盘(14)上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件(10)，其特征在于，包括：-至少一个导电金属构件(16)，所述至少一个导电金属构件在非导电封装材料(20)中，-第一金属层，所述第一金属层覆盖所述至少一个金属构件(16)，所述第一金属层(102)具有平坦的形态，以及-第二金属层，所述第二金属层通过使得所述第一金属层(102)的至少一个表面部分未被覆盖而部分地覆盖所述第一金属层(102)，所述第二金属层(104)具有粗糙的形态。
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