[实用新型]一种降压电路有效

专利信息
申请号: 201720325974.6 申请日: 2017-03-30
公开(公告)号: CN206775387U 公开(公告)日: 2017-12-19
发明(设计)人: 束龙胜;李帅;张晓昕;高峰;张希;李小庆;单任仲;陈任峰 申请(专利权)人: 安徽中电兴发与鑫龙科技股份有限公司
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158
代理公司: 芜湖安汇知识产权代理有限公司34107 代理人: 尹安
地址: 241000 安徽省芜*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型公开了一种降压电路,其特征在于包括降压变换电路、LM5116芯片U1及其外围电路,所述降压变换电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、电感L1、电容C1、电容C2、电阻R1,高压直流电输入MOS管Q1的漏极,MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极连接,MOS管Q2的源极通过电阻R1接地,电感L1一端连接MOS管Q1的源极,另一端分别连接MOS管Q1的漏极和电容C1的一端,电容C1另一端接地,电容C1的两端并接电容C2,C2两端连接降压输出端(Vout+、Vout‑),MOS管Q1和MOS管Q2的栅极均连接芯片U1的输出端,芯片U1输出控制信号控制Q1、Q2的导通和断开。本实用新型的优点为,降压电路结构简单,外围元器件个数少,电压输入范围宽,减少了电路的噪声灵敏度。
搜索关键词: 一种 降压 电路
【主权项】:
一种降压电路,其特征在于:包括降压变换电路、LM5116芯片U1及其外围电路,所述降压变换电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、电感L1、电容C1、电容C2、电阻R1,高压直流电输入MOS管Q1的漏极,MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极连接,MOS管Q2的源极通过电阻R1接地,电感L1一端连接MOS管Q1的源极,另一端分别连接MOS管Q1的漏极和电容C1的一端,电容C1另一端接地,电容C1的两端并接电容C2,C2两端连接降压输出端(Vout+、Vout‑),MOS管Q1和MOS管Q2的栅极均连接芯片U1的输出端,芯片U1输出控制信号控制Q1、Q2的导通和断开。
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