[实用新型]一种应变mHEMT结构有效
| 申请号： | 201720333688.4 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN206878002U | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 黎明 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种应变mHEMT结构，该GaAs HEMT材料由在GaAs衬底上依次外延生长的m‑Buffer晶格应变层、复合沟道层、空间隔离层、平面掺杂层、势垒层和高掺杂渐进盖帽层构成。在本实用新型中，结合GaAsmHEMT具有的超高电子迁移率，创新性的引入多层复合沟道结构结构，是用InP替代部分沟道，共同构成mHEMT的导通沟道，通过上述方式，本实用新型这种结构综合应用了低场时InGaAs的高电子迁移率特性及高场时InP的高阈值能量和高饱和速率，既提高了InP HEMT的漏极－源极击穿电压，也保证了其优良毫米波频率特性和提升输出功率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应变 mhemt 结构 | ||
【主权项】：
一种应变mHEMT结构，其特征在于，所述结构由下至上依次包括衬底、缓冲层、复合沟道层、空间隔离层、平面掺杂层、势垒层和帽层；所述缓冲层为复合应变缓冲层结构，从下至上包括第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层；所述复合沟道层从上至下包括不掺杂InGaAs沟道1、为不掺杂InP沟道2和高掺杂InP沟道3，沟道1和沟道2两种结构减小了碰撞电离，有效的提高了够到中的击穿电场强度，沟道3用于低场下为二维电子气提供导电沟道；所述帽层为高掺杂渐进帽层，用于为器件制备提供良好的欧姆接触。
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