[实用新型]一种GaAsHBT器件外延结构有效
| 申请号： | 201720336819.4 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN206628471U | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/225;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种GaAs HBT器件外延结构，其特征在于，由下至上依次包括GaAs衬底、N‑GaAs集电区层、N‑AlyGa0.52‑yIn0.48P集电区层、P‑GaAs基区层、若干层N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P发射区层、N‑GaAs发射区层、N+‑InzGa1‑zAs帽层，其中，若干层N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P发射区层由下至上每层结构x的变化逐渐增大，且x的范围为0～0.3，因此，在保证电流增益β，提高工艺可靠度的同时，减小GaAs HBT开启电压Voffset，提高发射极注入效率，使单个HBT器件同时满足微波放大器和高速开关的应用成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaashbt 器件 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种GaAs HBT器件外延结构，其特征在于，由下至上依次包括GaAs衬底、N‑GaAs集电区层、N‑AlyGa0.52‑yIn0.48P集电区层、P‑GaAs基区层、若干层N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P发射区层、N‑GaAs发射区层、N+‑InzGa1‑zAs帽层，其中，若干层N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P发射区层由下至上每层结构x的变化逐渐增大，且x的范围为0～0.3。
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