[实用新型]功率型氮化镓基发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201720353997.8 | 申请日： | 2017-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN206610823U | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 牛萍娟;李艳玲;李晓云;刘宏伟;王小丽 | 申请（专利权）人： | 唐山曹妃甸工大海宇光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/10;H01L33/44;H01L33/02 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司12211 | 代理人： | 刘莹 |
| 地址： | 063200 河北省唐山*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种功率型氮化镓基发光二极管芯片，包括钇铝石榴石衬底，其上端和下端分别设有周期性三棱台型的微凸结构；在钇铝石榴石衬底的下端设有N型氮化镓层，且位于钇铝石榴石衬底下端的微凸结构伸入N型氮化镓层内；增透层，其包裹在钇铝石榴石衬底的上端及四周侧壁上，增透层高折射率绝缘层和低折射率绝缘层交替堆叠；增透层的总厚度为1200埃‑7200埃。本实用新型所述的功率型氮化镓基发光二极管芯片，结构简单，出光率高。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 氮化 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
功率型氮化镓基发光二极管芯片，其特征在于，包括：钇铝石榴石衬底(1)，其上端分别设有周期性三棱台型的微凸结构(11)，下端设有若干四棱锥型的下微凸结构(12)；在钇铝石榴石衬底(1)的下端设有N型氮化镓层(2)，且下微凸结构(12)伸入N型氮化镓层(2)内；增透层(3)，其包裹在钇铝石榴石衬底(1)的上端，且通过钇铝石榴石衬底(1)的四周侧壁延伸到N型氮化镓层(2)的侧壁上；增透层(3)由高折射率绝缘层和低折射率绝缘层交替堆叠；增透层(3)至少为三层，且其总厚度为1200埃‑7200埃。
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