[实用新型]全背接触太阳能电池及其组件、系统有效
| 申请号： | 201720367976.1 | 申请日： | 2017-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN206758443U | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 林建伟;章康平;刘志锋;季根华;刘勇 | 申请（专利权）人： | 泰州中来光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18;H01B1/02 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司11137 | 代理人： | 朱黎光,耿璐璐 |
| 地址： | 225500 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种全背接触太阳能电池，包括N型晶体硅基体，其特征在于所述N型晶体硅基体背表面设置有互相深入交错排列的P型掺杂区域和N型掺杂区域，所述P型掺杂区域上设置有P区金属电极，所述N型掺杂区域上设置有N区金属电极；所述P区金属电极和所述N区金属电极均设置有与其形成欧姆接触的金属丝；与N区和P区金属电极形成欧姆接触的金属丝依次沿相反方向伸出所述N型晶体硅基体。本实用新型的有益效果是降低了含银副栅带来的表面复合又减少了金属化工程序的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 太阳能电池 及其 组件 系统 | ||
【主权项】：
一种全背接触太阳能电池，包括N型晶体硅基体，其特征在于：所述N型晶体硅基体背表面设置有互相深入交错排列的P型掺杂区域和N型掺杂区域，所述P型掺杂区域上设置有P区金属电极，所述N型掺杂区域上设置有N区金属电极；所述P区金属电极和所述N区金属电极均设置有与其形成欧姆接触的金属丝；与N区和P区金属电极形成欧姆接触的金属丝依次沿相反方向伸出所述N型晶体硅基体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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