[实用新型]一种亚微米级精密微装键合装置有效
申请号: | 201720390774.9 | 申请日: | 2017-04-13 |
公开(公告)号: | CN206834159U | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | 吕成凤 | 申请(专利权)人: | 深圳市铭德自动化设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市深联知识产权代理事务所(普通合伙)44357 | 代理人: | 徐炫 |
地址: | 528200 广东省深圳市龙岗区南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种亚微米级精密微装键合装置,包括机架台面,所述机架台面上设有下真空腔、X/Y/θ三轴调节机构和横移机构,且横移机构设于下真空腔的一侧,所述X/Y/θ三轴调节机构设于横移机构下部,且机架台面上设有显示器,所述下真空腔为中空结构,所述下真空腔内设有静电吸附平台,且下真空腔的一侧设有真空吸附口,所述真空吸附口延伸至下真空腔外,所述下真空腔上设有观察窗,所述X/Y/θ三轴调节机构包括三轴对位平台,所述三轴对位平台上设有载物台,所述载物台为中空结构。本实用新型结构简单,操作方便,能够快速对CF玻璃、透明光学胶和硅基芯片进行键合,提高工作效率,满足人们的使用需求。 | ||
搜索关键词: | 一种 微米 精密 微装键合 装置 | ||
【主权项】:
一种亚微米级精密微装键合装置,包括机架台面(1),其特征在于,所述机架台面(1)上设有下真空腔(2)、X/Y/θ三轴调节机构(3)和横移机构(4),且横移机构(4)设于下真空腔(2)的一侧,所述X/Y/θ三轴调节机构(3)设于横移机构(4)上,且机架台面(1)上设有显示器(5),所述下真空腔(2)为中空结构,所述下真空腔(2)内设有静电吸附平台(21),且下真空腔(2)的一侧设有真空吸附口(22),所述真空吸附口(22)延伸至下真空腔(2)外,所述下真空腔(2)上设有观察窗(23),所述X/Y/θ三轴调节机构(3)包括三轴对位平台(31),所述三轴对位平台(31)上设有载物台(32),所述载物台(32)为中空结构,所述载物台(32)内设有三色复合面光源(33),所述横移机构(4)包括模组安装立柱(41),所述模组安装立柱(41)的数量为两个,且模组安装立柱(41)设于机架台面(1)上,所述模组安装立柱(41)上设有第一精密线性模组(42),所述第一精密线性模组(42)远离模组安装立柱(41)的一侧设有横移安装板(43),所述横移安装板(43)上设有第二精密线性模组(456)和第三精密线性模组(441),且第三精密线性模组(441)设于第二精密线性模组(456)的一侧,所述第二精密线性模组(456)上设有安装板(455),且安装板(455)的底端设有上真空腔(45),所述上真空腔(45)上设有压合气缸(451),且压合气缸(451)贯穿上真空腔(45),所述上真空腔(45)的底端设有密封圈(452),且压合气缸(451)通过活塞杆连接有压合板(453),所述压合板(453)的底端设有粘着板(454),所述第三精密线性模组(441) 上设有镜头燕尾调节模组(442),所述镜头燕尾调节模组(442)的一侧设有高像素相机(443),且高像素相机(443)的底端设有高倍率镜头(444),且高倍率镜头(444)连接有三色复合面光源(33)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造