[实用新型]一种3D植锡网有效
申请号: | 201720397311.5 | 申请日: | 2017-04-17 |
公开(公告)号: | CN206628445U | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 李南极 | 申请(专利权)人: | 李南极 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/68 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 湖南省衡*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种3D植锡网,其包括钢片、第一芯片网孔、第一小型芯片网孔、第二小型芯片网孔、第二芯片网孔、第一大型芯片网孔、第二大型芯片网孔、第三小型芯片网孔、第一中型芯片网孔、第一中小型芯片网孔、第二中型芯片网孔、第二中小型芯片网孔、第三中小型芯片网孔、第四小型芯片网孔、定位方形坑槽、定位孔,第一芯片网孔右侧有第一小型芯片网孔、第二小型芯片网孔等,本实用新型对钢片进行定位半蚀刻,在半蚀刻区域再进行激光切割钻孔,通过以上技术发明可以解决多种芯片的准确定位和植锡锡网因受热变形导致操作芯片植锡球失败的问题,从而提高植锡球成功率,在融锡的过程中,不容易变形、不易损坏。 | ||
搜索关键词: | 一种 植锡网 | ||
【主权项】:
一种3D植锡网,其特征在于,其包括钢片、第一芯片网孔、第一小型芯片网孔、第二小型芯片网孔、第二芯片网孔、第一大型芯片网孔、第二大型芯片网孔、第三小型芯片网孔、第一中型芯片网孔、第一中小型芯片网孔、第二中型芯片网孔、第二中小型芯片网孔、第三中小型芯片网孔、第四小型芯片网孔、定位方形坑槽、定位孔,第一芯片网孔、第一小型芯片网孔、第二小型芯片网孔、第二芯片网孔、第一大型芯片网孔、第二大型芯片网孔、第三小型芯片网孔、第一中型芯片网孔、第一中小型芯片网孔、第二中型芯片网孔、第二中小型芯片网孔、第三中小型芯片网孔、第四小型芯片网孔都位于钢片的正面,第一芯片网孔右侧有第一小型芯片网孔、第二小型芯片网孔,第一小型芯片网孔位于第二小型芯片网孔上方,第二芯片网孔位于第一小型芯片网孔与第二小型芯片网孔右侧,第二大型芯片网孔位于第一芯片网孔下方,第一大型芯片网孔位于第二大型芯片网孔右侧和第二芯片网孔下方,第一中型芯片网孔位于第二大型芯片网孔下方,第三小型芯片网孔、第一中小型芯片网孔都位于第一中型芯片网孔右侧,第三小型芯片网孔位于第一中小型芯片网孔上方,第二中型芯片网孔位于第一大型芯片网孔下方同时也位于第三小型芯片网孔和第一中小型芯片网孔右侧,第二中小型芯片网孔位于第一中型芯片网孔下方,第三中小型芯片网孔位于第二中小型芯片网孔右侧,第四小型芯片网孔位于第三中小型芯片网孔右侧同时还位于第二中型芯片网孔下方,定位方形坑槽、定位孔都位于钢片反面,定位孔位于定位方形坑槽旁边,钢片包括不锈钢层、钢丝网层、防锈层,钢丝网层位于不锈钢层和防锈层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造