[实用新型]一种加热腔体及具有该加热腔体的去氢装置有效
| 申请号： | 201720399337.3 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN206610795U | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 谭朋利;齐之刚 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G09F9/00 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司11315 | 代理人： | 许志勇 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种加热腔体及具有该加热腔体的去氢装置，包括腔体，所述腔体具有开口；设置于所述腔体内的基板承载板，以及挡板，所述挡板位于所述开口和所述基板承载板之间，并能遮挡所述开口。由于本申请中，挡板正对着加热腔体的开口，以对气流的流入起到阻碍作用，能够有效阻挡携带微粒的气流涌入腔体内甚至到达基板承载板上，因此可以在保证去氢能力的前提下，有效地解决加热腔体内聚集较多微粒的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加热 具有 装置 | ||
【主权项】：
一种加热腔体，其特征在于，包括：腔体，所述腔体具有开口；设置于所述腔体内的基板承载板，以及挡板，所述挡板位于所述开口和所述基板承载板之间，并能遮挡所述开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
