[实用新型]半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵有效

专利信息
申请号: 201720438954.X 申请日: 2017-04-24
公开(公告)号: CN206806725U 公开(公告)日: 2017-12-26
发明(设计)人: 贾阳涛;王卫锋;刘兴胜 申请(专利权)人: 西安炬光科技股份有限公司
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 代理人: 齐海迪
地址: 710077 陕*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供了一种半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵,其中,半导体激光器制冷结构包括热沉,所述热沉包括相对设置的第一表面与第二表面;设置于所述第一表面的彼此绝缘的正极导电层以及负极导电层;电极连接件,包括第一端部、第二端部以及连接所述第一端部与所述第二端部的第一连接部,所述第一端部设置于正极导电层,所述第二端部设置于所述热沉的第二表面,与所述热沉绝缘,所述第一连接部设置于所述热沉上所述正极导电层的非对端。其中,第一连接部设置于正极导电层的非对端,使电极连接件的第一端部以及第二端部的长度较短,从而电极连接件的电阻相对较小,提高了半导体激光器的可靠性。
搜索关键词: 半导体激光器 制冷 结构 及其
【主权项】:
一种半导体激光器制冷结构,其特征在于,包括:热沉,所述热沉包括相对设置的第一表面与第二表面;设置于所述第一表面的彼此绝缘的正极导电层以及负极导电层,且所述热沉分别与所述正极导电层和负极导电层绝缘,所述正极导电层用于设置激光芯片且用于与所述激光芯片的正极电连接,所述负极导电层用于与设置于所述正极导电层的激光芯片的负极电连接;电极连接件,包括第一端部、第二端部以及连接所述第一端部与所述第二端部的第一连接部,所述第一端部设置于正极导电层,所述第二端部设置于所述热沉的第二表面,与所述热沉绝缘,所述第一连接部设置于所述热沉上所述正极导电层的非对端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安炬光科技股份有限公司,未经西安炬光科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720438954.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top