[实用新型]半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵有效
申请号: | 201720438954.X | 申请日: | 2017-04-24 |
公开(公告)号: | CN206806725U | 公开(公告)日: | 2017-12-26 |
发明(设计)人: | 贾阳涛;王卫锋;刘兴胜 | 申请(专利权)人: | 西安炬光科技股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人: | 齐海迪 |
地址: | 710077 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵,其中,半导体激光器制冷结构包括热沉,所述热沉包括相对设置的第一表面与第二表面;设置于所述第一表面的彼此绝缘的正极导电层以及负极导电层;电极连接件,包括第一端部、第二端部以及连接所述第一端部与所述第二端部的第一连接部,所述第一端部设置于正极导电层,所述第二端部设置于所述热沉的第二表面,与所述热沉绝缘,所述第一连接部设置于所述热沉上所述正极导电层的非对端。其中,第一连接部设置于正极导电层的非对端,使电极连接件的第一端部以及第二端部的长度较短,从而电极连接件的电阻相对较小,提高了半导体激光器的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 半导体激光器 制冷 结构 及其 | ||
【主权项】:
一种半导体激光器制冷结构,其特征在于,包括:热沉,所述热沉包括相对设置的第一表面与第二表面;设置于所述第一表面的彼此绝缘的正极导电层以及负极导电层,且所述热沉分别与所述正极导电层和负极导电层绝缘,所述正极导电层用于设置激光芯片且用于与所述激光芯片的正极电连接,所述负极导电层用于与设置于所述正极导电层的激光芯片的负极电连接;电极连接件,包括第一端部、第二端部以及连接所述第一端部与所述第二端部的第一连接部,所述第一端部设置于正极导电层,所述第二端部设置于所述热沉的第二表面,与所述热沉绝缘,所述第一连接部设置于所述热沉上所述正极导电层的非对端。
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