[实用新型]封装半导体装置有效

专利信息
申请号: 201720458697.6 申请日: 2017-04-27
公开(公告)号: CN207304525U 公开(公告)日: 2018-05-01
发明(设计)人: 伊吉健太郎 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H03M1/12 分类号: H03M1/12
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 金晓
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开涉及封装半导体装置。要解决的一个技术问题是提供改进的封装半导体装置。封装半导体装置包括接收第一电压的第一触件,接收第二电压的第二触件,比较第一和第二电压的比较元件以及响应于第一电压和第二电压的比较设置装置的参数的设置元件。当第一电压大于第二电压时,设置元件选择第一电压为高电压,第二电压为低电压,并将模式信号设置为第一值。当第二电压大于第一电压时,设置元件选择第一电压为低电压,第二电压为高电压,并将模式信号设置为第二值。第一和第二值在第一状态和第二状态之间改变与装置耦接的电子组件的条件。通过本实用新型,可以获得改进的封装半导体装置。
搜索关键词: 封装 半导体 装置
【主权项】:
一种封装半导体装置,其特征在于所述封装半导体装置包括:第一输入触件,构造来接收第一输入电压;第二输入触件,构造来接收第二输入电压;一个或多个比较元件,构造来将所述第一输入电压与所述第二输入电压进行比较,以及;一个或多个设置元件,构造来响应于所述一个或多个比较元件对所述第一输入电压和所述第二输入电压的比较来设置所述封装半导体装置的一个或多个操作参数;其中,响应于所述第一输入电压大于所述第二输入电压,所述一个或多个设置元件被构造来选择所述第一输入电压作为高输入电压,选择所述第二输入电压作为低输入电压,并且将所述封装半导体装置的模式信号设置为第一值,以及;其中,响应于所述第二输入电压大于所述第一输入电压,所述一个或多个设置元件被构造来选择所述第一输入电压作为所述低输入电压,选择所述第二输入电压作为所述高输入电压,并且将所述模式信号设置为第二值;其中所述模式信号的所述第一值和所述第二值被构造来分别在第一状态和第二状态之间改变与所述封装半导体装置耦接的电子组件的操作条件。
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