[实用新型]超结金属栅场效应晶体管封装结构

摘要

本实用新型公开了一种超结金属栅场效应晶体管封装结构，包括超结MOSFET芯片、底载板、源极导电基板、栅极导电焊板和漏极导电焊板；所述超结MOSFET芯片的顶部设有源极、栅极和漏极，所述源极、栅极和漏极上均设有对应的导电凸点，所述源极的导电凸点高于所述栅极的导电凸点和所述漏极的导电凸点；所述源极导电基板包括基板引脚区和散热区，所述基板引脚区设于所述源极的导电凸点的顶部，且所述基板引脚区与所述源极的导电凸点电连接，所述散热区设于所述栅极的导电凸点和所述漏极的导电凸点的上方；所述超结MOSFET芯片靠近所述漏极的一端设有所述栅极导电焊板和漏极导电焊板。

主权项

一种超结金属栅场效应晶体管封装结构，其特征在于，包括超结MOSFET芯片、底载板、源极导电基板、栅极导电焊板和漏极导电焊板；所述超结MOSFET芯片的底部设有所述底载板，所述底载板上内嵌有与所述超结MOSFET芯片对应的底载板散热区，所述底载板散热区的底部外露于所述底载板，所述超结MOSFET芯片的顶部设有源极、栅极和漏极，所述源极、栅极和漏极上均设有对应的导电凸点，所述源极的导电凸点高于所述栅极的导电凸点和所述漏极的导电凸点；所述源极导电基板包括基板引脚区和导电基板散热区，所述基板引脚区设于所述源极的导电凸点的顶部，且所述基板引脚区与所述源极的导电凸点电连接，所述基板引脚区设有向所述底载板靠近的弯折部，所述导电基板散热区设于所述栅极的导电凸点和所述漏极的导电凸点的上方；所述超结MOSFET芯片靠近所述漏极的一端设有所述栅极导电焊板和漏极导电焊板，所述栅极导电焊板包括栅极焊接区和栅极引脚区，所述栅极焊接区和栅极引脚区的连接处设有弯折部，所述栅极的导电凸点和所述栅极焊接区通过栅极金属线连接，所述漏极导电焊板包括漏极焊接区和漏极引脚区，所述漏极焊接区和漏极引脚区的连接处设有弯折部，所述漏极的导电凸点和所述漏极焊接区通过漏极金属线连接；所述底载板的顶部设有环绕所述超结MOSFET芯片的屏蔽层，所述屏蔽层、所述源极导电基板、所述底载板形成封闭空间，所述封闭空间的空隙处填充有环氧树脂。