[实用新型]一种具有低残压性能的二极管有效

专利信息
申请号: 201720488296.5 申请日: 2017-05-04
公开(公告)号: CN206711900U 公开(公告)日: 2017-12-05
发明(设计)人: 郭小红 申请(专利权)人: 萨锐微电子(上海)有限公司
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861;H01L23/02;H01L23/12;H01L23/48
代理公司: 上海宣宜专利代理事务所(普通合伙)31288 代理人: 刘君
地址: 200233 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种具有低残压性能的二极管,包括本体,所述本体的外周套接有外罩,所述外罩的底端固定连接有支架,所述支架的下方连接有第一引脚和第二引脚,所述本体的上方固定连接有盖板,所述本体的顶端中部嵌接有N型半导体,所述本体的中部嵌接有P型半导体,所述N型半导体与P型半导体的连接处设置有P‑N结界面。该种实用新型设计合理,使用方便,具有降低残压,浪涌能力增强的效果,通过把晶圆的厚度减薄,用P衬底,为此来有效降低化腐片的杂质,实用性较高,适合广泛推广。
搜索关键词: 一种 具有 低残压 性能 二极管
【主权项】:
一种具有低残压性能的二极管,包括本体(2),其特征在于:所述本体(2)的外周套接有外罩(1),所述外罩(1)的底端固定连接有支架(3),所述支架(3)的下方连接有第一引脚(4)和第二引脚(9),所述本体(2)的上方固定连接有盖板(5),所述本体(2)的顶端中部嵌接有N型半导体(6),所述本体(2)的中部嵌接有P型半导体(8),所述N型半导体(6)与P型半导体(8)的连接处设置有P‑N结界面(7)。
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