[实用新型]应用于3D成像的激光阵列及其激光投影装置和3D成像设备有效
申请号: | 201720488477.8 | 申请日: | 2017-05-04 |
公开(公告)号: | CN207134607U | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 王兆民;许星 | 申请(专利权)人: | 深圳奥比中光科技有限公司 |
主分类号: | H01S5/42 | 分类号: | H01S5/42;G03B15/02;G03B35/00 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种应用于3D成像的激光阵列及其激光投影装置和3D成像设备,其中应用于3D成像的激光阵列包括半导体衬底,VCSEL光源,所述VCSEL光源以二维阵列的形式分布在所述半导体衬底的表面,其中,所述二维阵列的排布方式是通过扇形子阵列旋转复制的形式产生,由共用同一个圆心的多个相同的扇形子阵列构成的二维阵列的排布方式沿任一方向上的包含了其他任何象限的子区域均具有不相关性,二维阵列对应的是VCSEL光源的分布情况,从而分布在半导体衬底表面的VCSEL光源具有极高的不相关性,解决了现有技术中用于3D成像的VCSEL光源的不相关性低的问题,本实用新型的激光阵列主要应用在深度相机中。 | ||
搜索关键词: | 应用于 成像 激光 阵列 及其 投影 装置 设备 | ||
【主权项】:
一种应用于3D成像的激光阵列,其特征在于,包括:半导体衬底,VCSEL光源,所述VCSEL光源以二维阵列的形式分布在所述半导体衬底的表面,其中,所述二维阵列包括多个相同的扇形子阵列,所述扇形子阵列共用同一个圆心。
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