[实用新型]一种基于SPPs‑CDEW混合模式的全光二极管有效
| 申请号： | 201720522385.7 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN206696461U | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 祁云平;胡月;南向红;张雪伟;周培洋 | 申请（专利权）人： | 西北师范大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 兰州智和专利代理事务所(普通合伙)62201 | 代理人： | 周立新 |
| 地址： | 730070 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 一种基于SPPs‑CDEW混合模式的全光二极管，包括并排设置的两块银膜，该两块银膜之间的间隙为单狭缝；两块银膜上表面刻蚀有数量相同的多条上表面凹槽，两块银膜的下表面刻蚀有数量为上表面凹槽数量加1的下表面凹槽；上表面凹槽和下表面凹槽错位设置，两块银膜上的上表面凹槽和第相对于单狭缝对称设置，两块银膜上的下表面凹槽相对于单狭缝对称设置。该全光二极管在入射方向对光有投射增强现象，而在相反方向上却有抑制投射的作用，表现出单向传输效应，达到单向通透的效果；最大消光比可达到38.3dB，即正向透射率是反向透射率的6761倍。且设计结构简单、宽带工作、耦合效率高、易于集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 spps cdew 混合 模式 二极管 | ||
【主权项】：
一种基于SPPs‑CDEW混合模式的全光二极管，其特征在于，包括并排设置的第一银膜（1）和第二银膜（5），第一银膜（1）和第二银膜（5）之间有间隙，该间隙为单狭缝（3）；第一银膜（1）的上表面刻蚀有多条第一上表面凹槽（2），第二银膜（5）的上表面刻蚀有数量与第一上表面凹槽数量相同的第二上表面凹槽（4），第一银膜（1）的下表面刻蚀有数量为第一上表面凹槽（2）数量加1的第一下表面凹槽（6），第二银膜（5）的下表面刻蚀有数量与第一下表面凹槽（6）数量相同的第二下表面凹槽（7）；第一上表面凹槽（2）和第一下表面凹槽（6）错位设置，第二上表面凹槽（4）和第二下表面凹槽（7）错位设置；第一上表面凹槽（2）和第二上表面凹槽（4）相对于单狭缝（3）对称设置，第一下表面凹槽（6）和第二下表面凹槽（7）相对于单狭缝（3）对称设置。
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