[实用新型]嵌入式纳米金阵列表面等离子共振传感器基底有效

专利信息
申请号: 201720531943.6 申请日: 2017-05-15
公开(公告)号: CN207300884U 公开(公告)日: 2018-05-01
发明(设计)人: 刘瑜;孔令超;王军;吴杨生;裴霄翔 申请(专利权)人: 安徽大学
主分类号: G01N21/59 分类号: G01N21/59;G01N21/01
代理公司: 北京凯特来知识产权代理有限公司11260 代理人: 郑立明,郑哲
地址: 230601 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型公开了一种嵌入式纳米金阵列表面等离子共振传感器基底,通过将金纳米颗粒嵌入二氧化硅衬底中,由于上下表面的介质不再对称,相当于在周期阵列上叠加了一个单层介质光栅,对入射光产生调制,一定条件下将会引起导模共振来进行微调制,从而在一定波长范围内透射谱中出现了三个共振峰线型,满足多波段,多通道的传感检测需求,但导模共振形成的透射峰不够尖锐,灵敏度及品质因数达不到要求,故通过类Fano共振中宽带模式和窄带模式的耦合导致波谱分裂,进而使得共振峰变得尖锐,提高传感检测的灵敏度和品质因数。且本实用新型采用的是周期型纳米颗粒阵列结构可减小传感器基底结构的体积,易于集成化,符合表面等离子体共振传感器的设计要求。
搜索关键词: 嵌入式 纳米 阵列 表面 等离子 共振 传感器 基底
【主权项】:
一种嵌入式纳米金阵列表面等离子共振传感器基底,其特征在于,包括:二氧化硅介质基底(2)以及嵌入二氧化硅介质基底(2)的周期型菱形金纳米颗粒阵列(1);在可见光范围内,入射光从周期型菱形金纳米颗粒阵列(1)上方垂直入射,偏正方向沿x轴方向;周期型菱形金纳米颗粒阵列(1)的嵌入深度为d=100nm;二氧化硅介质基底(2)的厚度为h=400nm,介电常数为1.45;周期型菱形金纳米颗粒阵列(1)的高度为Lz=30nm,周期型菱形金纳米颗粒阵列(1)的长轴和短轴分别为Lx=100nm和Ly=40nm,金的介电常数采用Drude模型;周期型菱形金纳米颗粒阵列(1)沿x方向的周期和y方向的周期分别为Px=200nm和Py=570nm。
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